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三星DDR4内存芯片速度提升一倍 2012年投产

来源:网络 作者: 时间:2020-05-21

三星电子星期二称,它已经开发出了一种新的计算机内存模块,读写数据的速度是上一代内存芯片的一倍。

三星电子在声明中称,它将在2012年开始使用30纳米级的技术生产这种新的DDR4 DRAM内存模块。

目前DRAM内存行业的主流产品是DDR3内存模块,其性能比DDR2产品有所提高。三星电子称,它是DRAM内存行业第一个开发出DDR4内存芯片的厂商。

三星电子补充说,这种新的内存芯片还将把电源消耗减少一半。与DDR3内存芯片相比,DDR4内存芯片的耗电量是1.2伏,数据传输速度为每秒2.133GB。而DDR内存芯片的耗电量是1.35伏或者1.5伏,数据传输速度为每秒1.6GB。

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